场效应晶体管简称场效应管，缩写FET，它是一种半导体放大器件，也可作为开关。
场效应管的符号如下图所示，分别为N沟和P沟。
MOS管导通特性
导通是指作为开关，相当于开关关闭。NMOS的特性，Vgs如果大于一定值，则导通，适用于源极接地（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs当源极接VCC(高端驱动)时，小于一定值就会导通。然而，虽然PMOS可以很容易地用作高端驱动，但它通常用于高端驱动，因为导电阻大，价格昂贵，替代品种少。NMOS。
在首先说场效应管的工作原理之前，识别场效应管符号的三脚的关键在哪里，如下图所示
首先，场效应管的栅极(即G极)和其他两只脚是90°箭头指向栅极的角度（G极)是N沟的MOS管，箭头背对着栅极（G极)是P沟的MOS管。然后看寄生二极管的方向，N沟通MOS管是源极（S极)指向漏极（D极）。P沟通MOS管是漏极（D极)指向源极（S极）。
也可以按下图中的分源极（S极）与漏极（D极）。
现场效应管的工作原理实际上与三极管的工作方式相似。三极管是一种电流控制装置，所谓的电流控制装置是指控制集电极和发射极电流的基极电流大小。现场效应管是一种电压控制装置，即通过改变栅极和源极的电压，可以改变通过通道的电流。换句话说，栅极电压的大小可以控制通过泄漏电极的电流。
电路中的场效应管可以起到开关和放大的作用。
开关的功能如下图所示
当输入端Vi为低电平时，Q1栅极与源极无压差，Q1处于截止，Q1不工作，此时VCC电压加到R1和R5，使Q2.栅极与源极之间的压差，Q2处于导通状态，此时此刻R4充当负载，VCC的电压都到R四上。即下图
当输入端Vi为高电平时，Q1栅极与源极之间的压差，Q1处于导通状态，Q1工作，VCC的电压加到R1上，R1充当负载到地，Q2.栅极与源极无压差，Q2在截止日期，如下图所示
共源放大电路相当于晶体三极管的共发射放大电路。输入信号从源极和栅极输入，输出信号从源极和漏极输出。
共泄漏放大器相当于晶体三极管的共集电极放大器。输入信号从泄漏极和栅极之间输入，输出信号从泄漏极和源极之间输出。
共格栅放大器相当于晶体三极管的共基极放大电路。输入信号从格栅极和源极输入，输出信号从源极和泄漏极输出。
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