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产化芯片找射频易商城! 2-6G,功率放大器芯片

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-11-28 11:28:41

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丽芯微电 lxsoc.com 基于于III-V族半导体工艺,设计研发性能优异的射频微波MMIC芯片,提供面向微波收发、信号选择、信号幅相控制、多功能芯片等相关应用和系统、分系统一体化解决方案。主要产品包括:限幅器、低噪声放大器、功率放大器、开关、混频器、检波器、移相器、衰减器、滤波器、射频多功能芯片等,性能优异,质量可靠、芯片制程渠道稳定可靠可控。要省心 找丽芯!







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丽芯微电 LXA2003 GaAs功率放大器 芯片








LXA2003 是一款功率放大器芯片(Die,工作频率2-6GHz,小信号增益23dB,输入输出50Ω匹配良好。芯片通过背面通孔接地,采用+5V单电源供电,静态工作电流1200mA。芯片背面进行了金属化处理,适用于共晶焊接或导电胶粘接工艺。







电气性能参数 :








频率范围:2- 6 GHz




小信号增益:23 dB




增益平坦度:± 1 dB




饱和输出功率:35 dBm




输入回波损耗:10 dB




输出回波损耗:10 dB




噪声系数:- dB




静态电流:1200 mA
















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进入 80 年代, 由于分子速外延技术和有机金属化学沉积技术的发展, 超薄外延层的厚度及杂质浓度得以精确控制, 使异质结器件迅速发展, 由 ALGaAsGaAs 或 InPInGaAs 组成的异质结双极晶体管HBT 相继研制成功, 采用这些器件设计射频功率放大晶体管, 使射频放大器的工作频率达到毫米波频段; 到 90 年代, 激增了多种新型固态器件, 如高电子迁移管HEMT , 假同晶高电子迁移管PHEMT , 异质结场效应管HFET 和异质结双极管HBT , 同时使用了多种新材料如 Inp、 Sic 及 CaN 等。 这些器件能够对 100GHz 乃至更高频率的信号进行放大, 而且在多数情况下可以运用 MMIC 技术。















 
(文/小编)
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