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低噪声放大器是一种具有优良噪声特性而增益较高的小信号放大器， 一般位于接收机的前端， 是决定整个接收系统噪声特性的关键部件。
目前常见的低噪声放大器有以下几种： 低温制冷参量放大器、 常温恒温参量放大器、 微波场效应晶体管放大器和高电子迁移率晶体管放大器等。 参量放大器采用变容电抗元件（变容二极管） 对信号进行放大， 可以获得满意的低噪声性能， 进一步降低其工作的环境温度（例如环境温度达 20K） ， 会大幅度改善其噪声性能。然而随着金属半导体场效应晶体管性能的改善与提高， 低噪声场效应放大器的噪声性能已接近于常温参量放大器的水平。 同时， 由于 FET 放大器具有性能稳定、 结构紧凑、 价格低廉等优点， 它已逐步取代了参量放大器。 目前， Ku 频段以下的低噪声放大器普遍采用低噪声 FET 放大器。 继低噪声 MESFET 之后， 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobiliey Transistor） ， 简称 HEMT 器件， 获得了迅速的发展。 它在低噪声、 高工作频率方面比 FET 更优越， 已广泛投入使用。
哪儿有1-30GHz,噪声小于2.5dB的低噪声放大器芯片？
射频易商城RFeasy.cn 有库存，库存型号：LXA1016，推荐品牌：丽芯微电
LXA1016 是一款基于GaAs (砷化镓）HBT工艺实现的宽带低噪声放大器芯片，工作频率范围覆盖2-4 GHz，线性增益30 dB，带内噪声系数0.45dB，输入/输出50Ω匹配良好。芯片100%射频测试。芯片背面进行了金属化处理，适用于共晶焊接或导电胶粘接工艺。
典型电气参数：
频率范围：2-4GHz
小信号增益：30dB
增益平坦度：±1.0dB
噪声系数：0.45dB
输出P-1: 17dBm
回波损耗：30 / 17
电流：60mA
增益VS频率 典型测试曲线
目前广泛使用的是金属半导体场效应管低噪声放大器。 它的核心部件是金属半导体场效应管（MESFET） 。 金属半导体场效应管是用本征砷化镓作为基片的衬底， 用特殊工艺形成源极（S） 、 栅极（G） 和漏极（D） 三个电极； 通过栅极电压来控制漏极电流， 从而实现对小信号的放大功能