一、缺陷部位判断依据
(1)多传感器定位
利用时延方法实现空间定位。在疑似故障部位利用多个传感器同时测量，并以信号首先到达的传感器作为触发信号源，就可以得到超声波从放电源至各个传感器的传播时间，再根据超声波在设备媒质中的传播速度和方向，就可以确定放电源的空间位置。
(2)单传感器定位
移动传感器，测试气室不同的部位，找到信号的大点，对应的位置即为缺陷点。通过两种方法判断缺陷在罐体或中心导体上。
方法一，通过调整测量频带的方法，将带通滤波器测量频率从100kHz减小到50kHz，如果信号幅值明显减小，则缺陷位置应在壳体上;信号水平基本不变，则缺陷位置应在中心导体上。
方法二，如果信号水平的大值在罐体表面周线方向的较大范围出现，则缺陷位置应在中心导体上;如果大值在一个特定点出现，则缺陷位置应在壳体上。缺陷类型判断依据见表C.1。
二、缺陷类型判断依据
(1)自由金属微粒
对于运行中的设备，微粒信号的幅值：背景噪声
注：这里的推荐参考值，各地因设备状况、运行条件和检测仪器等因素的不同，推荐参考值可能不同。各地可根据的历史检测数据、自身所能承受的系统风险进行统计分析，定期修订完善推荐参考值。
(2)电晕放电(数据参考带电设备带电检测技术规范中规定)
毛刺一般在壳体上，但导体上的毛刺危害更大。只要信号高于背景值，都是有害的，应根据工况酌情处理。在耐压过程中发现毛刺放电现象，即便低于标准值，也应进行处理。
(3)悬浮电位
电位悬浮一般发生在断路器气室的屏蔽松动，PT/CT气室绝缘支撑松动或偏移，母线气室绝缘支撑松动或偏移，气室连接部位接插件偏离或螺栓松动等。设备内部只要形成了电位悬浮，就是危险的，应加强监测，有条件就应及时处理。对于126kV GIS，如果100Hz信号幅值远大于50Hz信号幅值，且Vpeak>10mV，应缩短检测周期并密切监测其增长量，如果Vpeak>20mV，应停电处理。对于363kV和550kV及以上设备，应提高标准。
注：这里的推荐参考值，各地因设备状况、运行条件和检测仪器等因素的不同，推荐参考值可能不同。各地可根据的历史检测数据、自身所能承受的系统风险进行统计分析，定期修订完善推荐参考值。其中，A(dBmV)=20lg(B mV /1mV)。