华卓精科双工件台，国旺光学镜片，长春光机所euv光源都搞定了，应该就差整合了，况且euv和duv不是继承关系，就像航母的蒸汽弹射和电磁弹射，中国都是同时研发的，西方每周双休，每天6小时，花了10年搞定euv，我们是996，三班倒，肯定比西方快的多，而且第一个做出来是最难的，要走很多弯路，后来者再模仿就容易的多
其他网友观点不用三年，今年全面整合试车试验就可以完成，各种配套已经完成或接近完成，全面批量生产应该明年就可进行……再说一遍，光刻机之类硅晶芯片生产能力不是什么高科技，我们之前不做是历史原因和利益集团操作所导致的，不是我们不能做或做不好
其他网友观点如果华为徐直军去上微的消息是真的，假如是真的，那么说明国家和华为已经下了不破楼兰誓不还的决心。那成功就是必然的，因为我没见过华为决心要干的事情，最后是失败的。
其他网友观点你看中国能不能做顶级光刻机，不要看表面，就看中国的机床，精密仪器设备，精密零部件，工业软件等等基础工业制造业什么时候达到世界顶级，但是比较遗憾，短期内看不到希望。如果你仔细观察，你会发现中国在各个领域几乎没有任何东西做到世界顶级，机床，汽车，手表，甚至西服，球鞋，呼吸机，自行车。。。。。。。。所以务实点，路长得很。
其他网友观点我回答的题目是：
中国EUV光刻机：
5年后进入整机制造阶段就够快
3年内，1 千多天，是不可能搞出EUV光刻机的，完全肯定！只因为中国还没有相应的技术储备和工程基础，可以这么说：如果再过10年，即在2030年，中国整个的芯片产业还是没有达到高端化的话，就一定是差在没有高端光刻机上。
光刻机是目前为止中国芯片业发展最慢的 1 个环节。不错，中国的芯片架构、设计软件、其它工艺设备、材料等环节也停留在中低端水平，但会在10年内达到高端化，还有自主化，而光刻机，虽然据报道已经实现中端的国产化——现有的技术储备和工程基础，10 年内却有可能达不到高端化，这只是因为相比之下，光刻机的技术含量和复杂程度在芯片产业各环节当中最高，高出好多，世界公认的“超难”！所以，现有的光刻机技术和工程基础尽管同样是中端的——按报道的今年第四阶段达到28nm（还有报道说是22nm，反正不是14nm），却可以肯定：进入EUV整机制造的时间必定比前述的那些中低端环节进入高端阶段晚好多，实现EUV的7nm之路比前述的那些中低端环节要长好多。至于芯片设计和封装封测，中国早就达到高端了，而中芯国际的 7 nm制造工艺一定会在3年内达到高端并且实现规模量产，并且是在没有EUV光刻机的情况下达到跟台积电过去的DUV7nm一样，倒是，这3个高端化的环节在3年内很可能达不到国产化或者自主化，5年后应该能达到，尤其是华为和中芯国际最着急达到这 2 个化，都被限制了嘛，明摆着，以后的年头里、年代里都唯有选择和依靠设计和工艺的自主化。
为什么说中国EUV光刻机在 5 年后进入整机制造阶段就够快？不必怀疑，“中国速度”一定会表现在高端自主光刻机制造上！然而，却一定不会从一开始就是突飞猛进的，“中国速度”另外的要义是遵循科技规律、遵从脚踏实地。
前期厚积才会有后来薄发。最近网上有成群的同一内容报道，清华大学发表了新型粒子加速器光源稳态微聚束（SSMB）首个原理验证实验的论文，很明显，在今后的 5 年内能够转入应用研究阶段就是大好喜讯，就算很快！君不见，清华正在推动这个SSMB EUV光源在国家层面立项，研究组向国家发改委提交的“稳态微聚束极紫外光源研究装置”在被列为“十四五”国家重大科技基础设施并建成之后，才能进入具体研究阶段，在2030年到来之前才有望为光子科学研究提供新机遇、解决光刻机中最核心的“卡脖子”难题，所以，那些个同一内容报道下面的评论区中并没有掀起热议潮，而以前，类似消息在网上虽然不是很多却也不少，一开始每每引起热议，甚至引发狂欢，后来则逐渐降温，现在已经充满理性、格外淡定了。是啊，不可能那么快地实现那么多的现实突破，进入整机制造之前，要解决的显在和潜在的难题还有好多，其中，不仅有零部件配套，更有华为任正非曾说的国内造不出高端芯片所卡在的“基础工业”，底层研究的难度、广度更高，长度更长，欠账也最多，决定高端光刻机能不能搞出来，还决定快不快。南京刚刚成立芯片大学就是为了厚积薄发，上海要在2035年之前建立世界级“东方芯港”同样；至于同样纷纷报道至今的在碳基芯片、石墨烯材料方面弯道超车，即使实现，也绝不止3、5年。
多年以来中国在光刻机整机制造配套技术上有了一系列突破。一直有人说，EUV光刻机三大件，除了光源，镜头、机台都“差不多”搞定了，差不多就是还差些，还没有在整体上达到高端。再比如，2017年6月，中科院长春光机所牵头的02专项“极紫外光刻关键技术研究”项目通过验收，构建了EUV光刻曝光装置，让国内首次获得EUV投影光刻32 nm线宽的光刻胶曝光图形；2018年11月，中科院光电技术研究所承担的“超分辨光刻装备研制”项目通过验收，在365nm光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22nm，在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线；南大光电自主研发的ArF光刻胶，在各项测试中都处在世界领先水平，不仅是“破冰”，更有望改变该领域的市场占比。迄今为止，最大的突破则是建立起了较为完整的光刻机制造技术链、产业链、供应链，使得突破制程更先进DUV光刻机的技术和进入EUV光刻机整机制造阶段有了初步却又是全面性、整体性的依托。这些技术突破了当然能发挥出让高端光刻机快一点搞出来的作用，但又必须是在相关的技术都突破了之后。
即使2030年之后的 3 年内搞出EUV光刻机就足够好！意味之一是突破了作为EUV光刻机最核心的光源技术，这绝对是个太好的事了！因为是美国现在独有的，过去直到现在卡着荷兰的脖子，还不让卖给中国高端光刻机，而到时候连美国都卡不了中国的脖子了，中国企业安全得很！说不定，ASML因此就“提前”卖给中国EUV光刻机了，14nmDUV光刻机就是这样卖的。何况，中芯国际依托现有ASML的DUV光刻机，照样继续研发10nm以下先进工艺，过个2、3年就可实现7nm芯片的生产，只看什么时候达到去美国化了，届时，华为就有了高端芯片，而且是自家设计的；更何况，在此之前，华为不仅完全可以活下去，现在就已经“活过来了”，而且，会活得很好。
其他网友观点我认为三年内EUV光刻机在技术上会有突破，22nm光刻工艺能够推向市场。14nm及以下的7nm，5nm光刻技术，研发技术上会有突破，但只限于实验室，离真正的市场化还有待时日。
纯国产的拥有自主知识产权光刻机技术的上海微电子，在2018、2019年，出货光刻机50-60台，还只是以90nm制程为主导的光刻机。
从理论突破，到试制产品样机，再到产品小批市场化，并有竞争能力，这中间需要的时间很长，并不是说，今天有14nm的光源光刻技术了，明天就能量产。目前的光刻机市市场霸主一一荷兰的ASML，EUV的研发及市场化用了十年时间，在2015年达到EUV光刻机量产。这其中的主要技术，并非自研，而是通过在2012年10月，25亿美元收购美国顶级光源企业Cymer，用了Cymer激光器专利技术，才在EUV光刻技术上得到突破。
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