众所周知，在集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。而随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。
由于EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系，当这些子光束投射在掩膜版上叠加时会形成固定的干涉图样，出现有明暗变化、光强不均匀的问题，因此，必须先进行去相干处理(或者采用避免相干影响)，达到匀光效果，以保证光刻工艺的正常进行。
根据国家知识产权局官网的消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项与光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。据悉，该专利申请提供一种反射镜、光刻装置及其控制方法，涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的，进而解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。
