易商讯
当前位置: 首页 » 网络 » 快讯 » 正文

格芯获得3000万美元政府资金用于氮化镓GaN芯片生产

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-10-19 10:47:25

近日,格芯宣布已获得3000万美元(约2.16亿元人民币)的政府联邦资金,将用于在佛蒙特州Essex Junction工厂开发和生产高级半导体。该资金是2022年综合拨款法案的一部分。

这笔资金将用于开发和实施氮化镓半导体,即通常所说的 GaN 芯片。据该公司称,这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称,电动汽车普及、电网升级改造以及 5G、6G 智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。

GlobalFoundries 总裁兼首席执行官 Thomas Caulfield 博士在一份声明中说:“有了这笔新的联邦资金,以及在 2023 年联邦预算中可能获得的进一步支持,GF 完全有能力在佛蒙特州成为氮化镓芯片制造的全球领导者。”

 
(文/小编)
免责声明
• 
本文格芯获得3000万美元政府资金用于氮化镓GaN芯片生产链接:http://www.esxun.cn/internet/79246.html 。本文仅代表作者个人观点,请读者仅做参考,如若文中涉及有违公德、触犯法律的内容,一经发现,立即删除,作者需自行承担相应责任。涉及到版权或其他问题,请及时联系我们,我们将在24小时内处理完毕。如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
 

Copyright © www.esxun.cn 易商讯ALL Right Reserved


冀ICP备2023038169号-3