8月18日消息，据国外媒体报道，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，计划在本月新设立一个研发中心，负责研发更先进的NAND闪存。
三星电子计划本月新设负责研发更先进NAND闪存的研发中心，是由韩国媒体率先开始报道的，他们是在报道三星电子的236层NAND闪存预计在今年开始生产时，提及此事的。
从韩国媒体的报道来看，三星电子设立研发更先进NAND闪存的研发中心，同竞争对手已研发出先进产品，NAND闪存研发领域竞争激烈有关。
韩国媒体在报道中就提到，SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存，预计明年上半年大规模量产；美光科技也已完成了232层NAND闪存的研发。未来要想在NAND闪存市场占有优势，势必就需要不断研发更先进的产品。
从研究机构的数据来看，三星电子目前在NAND闪存市场的份额，远高于其他厂商，就今年一季度而言，三星电子的份额高达35.3%，第二大厂商铠侠的份额为18.9%，SK海力士的份额为18%。
