据报道，高通正在为可穿戴设备开发未来的SoC，而根据以泄漏形式分享的最新新闻图片，它们的正式名称是骁龙W5 Gen 1和骁龙W5 Plus Gen 1。让我们来了解一下细节。新的可穿戴SoC由于采用了新的4纳米工艺，电池寿命可延长50%，同时可以采用更时尚紧凑的设计和带来其他升级。
与Snapdragon Wear 4100 Plus相比，Snapdragon W5 Plus第一代在制造工艺上有了飞跃，因为它是在4纳米架构上制造的，但没有提到该工艺是基于三星还是台积电的技术。通过新的可穿戴SoC，高通公司表示电池续航将延长50%，由于采用了更省电的制造工艺，设计将更时尚。
这两款处理器自带多种低功耗模式，至少有25种设计正在进行中，这表明许多手机制造商将推出采用骁龙W5 Gen 1和骁龙W5 Plus Gen 1的智能手表。 新的芯片组还具有新的机器学习U55芯片，同时支持高达16GB的LPDDR4内存，运行频率为2133MHz。
骁龙W5 Plus Gen 1的CPU配置包括四个Cortex-A53内核和一个运行在250MHz的Cortex-M55，GPU是运行频率为1GHz的Adreno 702，该装置将负责生成交互式手表界面。一大堆传感器也将是该软件包的一部分，支持一系列标准，如蓝牙5.3、QHS、双ISP、EIS 3.0等等。
新闻没有提到高通打算何时正式推出骁龙W5 Gen 1和骁龙W5 Plus Gen 1，但从改进的内容来看，高通已经开始认真对待可穿戴设备。
原标题：高通联发科3nm智能手机应用处理器竞争预计在明年下半年开始
