据BusinessKorea报道，三星电子已规划好未来三年的3nm米环绕闸极（GAA）制程技术，并且寻求在2025年让2纳米GAA制程量产。
据了解，GAA 是一种下一代工艺技术，它改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面，而不是当前 FinFET 工艺中的三个侧面。 GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。
三星电子押注将 GAA 技术应用到3纳米制程以赶上台积电。据报道，三星㫣了6月初将晶圆置于3纳米 GAA 工艺中进行试量产，成为世界上第一家使用 GAA 技术的公司。它正在寻求通过技术飞跃立即缩小与台积电的差距。与5纳米工艺相比，3纳米工艺将半导体性能和电池效率分别提高了15% 和30%，同时芯片面积减少了35%。
另外，此前台积电宣布3nm（N3）工艺将于2022年内量产，而台积电首度推出采用纳米片晶体管(GAAFET)架构的2nm(N2)制程工艺，将于2025年量产。
