易商讯
当前位置: 首页 » 网络 » 科技 » 正文

安世半导体(Nexperia)推出适用于USB4的静电放电(ESD)保护二极管件

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-06-16 15:53:39
导读

6月16日消息,基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计,而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一

6月16日消息,基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计,而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。

重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短,从而降低寄生电感,但也会意外地降低整体系统级ESD稳健性。PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF较低的超快传输线路脉冲(vfTLP)峰值钳位电压,甚至低于标准I(V) TLP曲线中无明显的触发电压的USB4保护解决方案。这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感,从而提高整体系统级ESD稳健性。为达到ESD的预算损耗建议值,这两款器件均可提供超低插入损耗(10 GHz下为-0.29 dB)和回波损耗(10 GHz下为-20.6 dB)。与其他解决方案不同的是,电容不会随工作电压增加,可提供完整的RF性能直到反向截止电压。

相较于其他ESD保护二极管件,PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF可直接放置在所保护器件的连接器旁边,因此可提供更大的设计灵活性。这意味着交流耦合电容也会受到保护。此外,它将大部分线路电感置于ESD保护和被保护器件之间,以优化系统的ESD性能。Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示:“Nexperia通过提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件,帮助设计工程师在预算有限的情况下,满足高速USB4数据线的插入损耗和回波损耗要求。这两款器件在优化系统级ESD稳健性和RF性能之间实现了出色的平衡。”

为了向下兼容可通过USB Type-C连接的旧接口标准(如USB3.2),PESD2V8Y1BSF设有2.8 V的反向截止电压VRWM,而PESD4V0Y1BCSF的VRWM为4 V,因此还可适用于HDMI 2.1。两款器件均使用TrEOS技术,其RF性能在动作电压范围内均不会下降。除了USB4和HDMI 2.1以外,两款器件还可用于保护PCIe和DisplayPort接口。

 
(文/Techweb)
免责声明
• 
本文安世半导体(Nexperia)推出适用于USB4的静电放电(ESD)保护二极管件链接:http://www.esxun.cn/internet/65045.html 。本文仅代表作者个人观点,请读者仅做参考,如若文中涉及有违公德、触犯法律的内容,一经发现,立即删除,作者需自行承担相应责任。涉及到版权或其他问题,请及时联系我们,我们将在24小时内处理完毕。如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
 

Copyright © www.esxun.cn 易商讯ALL Right Reserved


冀ICP备2023038169号-3