易商讯
当前位置: 首页 » 网络 » 物联网 » 正文

外媒称台积电2nm制程工艺研发已取得重大进展 预计明年年中风险试产

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-06-14 20:20:15
导读

今日消息,据国外媒体报道,在推进3nm制程工艺今年下半年量产的台积电,在更先进的2nm制程工艺的研发方面已取得重大进展,预计在明年年中就将开始风险试产。    风险试产,也就意味着台积电2nm制程工艺距量产又更近了一步。外媒在报道中也提到,在风险试产一年之后,台积电的这一制程工艺预计就将大规模量产。    

今日消息,据国外媒体报道,在推进3nm制程工艺今年下半年量产的台积电,在更先进的2nm制程工艺的研发方面已取得重大进展,预计在明年年中就将开始风险试产。
 

    风险试产,也就意味着台积电2nm制程工艺距量产又更近了一步。外媒在报道中也提到,在风险试产一年之后,台积电的这一制程工艺预计就将大规模量产。
 

    从外媒的报道来看,台积电正在研发之中的2nm制程工艺,在风险试产时,良品率就会相当可观。外媒间流传的一份未注明来源的声明显示,台积电方面预计2nm制程工艺的良品率,在风险试产的2023年就将达到惊人的90%。
 

    外媒在报道中提到,如果2nm工艺的良品率在风险试产期间就达到了90%,台积电就能很好的改进这一工艺,并推动在2024年大规模量产。
 

    台积电正在推进的2nm制程工艺,在晶体管的架构方面将会有变化,不会继续采用鳍式场效应晶体管(FinFET),而会采用全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构,也就是三星电子从3nm制程工艺就开始采用的晶体管架构,他们在去年4月份就已宣布,3nm制程工艺将采用多桥通道场效电晶体架构设计。
 

    原标题:外媒称台积电2nm制程工艺研发已取得重大进展 预计明年年中风险试产

 
(文/小编)
免责声明
• 
本文外媒称台积电2nm制程工艺研发已取得重大进展 预计明年年中风险试产链接:http://www.esxun.cn/internet/64749.html 。本文仅代表作者个人观点,请读者仅做参考,如若文中涉及有违公德、触犯法律的内容,一经发现,立即删除,作者需自行承担相应责任。涉及到版权或其他问题,请及时联系我们,我们将在24小时内处理完毕。如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
 

Copyright © www.esxun.cn 易商讯ALL Right Reserved


冀ICP备2023038169号-3