3月22日消息，安森美(onsemi)推出最新的混合信号控制器，专用于无桥图腾柱功率因数校正（TP PFC）拓扑结构。NCP1681的目标应用是超高密度离线电源。该新的控制器以适用于达350 W设计的 NCP1680的成功为基础，将功率能力扩展到千瓦范围。
在过去，TP PFC设计需要使用MCU，这增加了设计的复杂度且需要编码。现在有了NCP1681，只需添加一些外部器件，不需要编码就可实现功能齐全的TP PFC方案，从而节省时间、成本和占位。
安森美计算和云分部高级副总裁兼总经理Robert Tong谈到该新产品发布时说：“新的NCP1681将无代码TP PFC设计的优势扩展到更高功率。这使我们的客户能继续提高他们的设计能效，同时减少设计时间和成本，从而快速向市场提供方案。”
NCP1681可被配置为在固定频率连续导通模式(CCM)或多模式下工作，控制器在CCM和临界导通模式(CrM)之间自然转换，以在各种功率水平下实现最佳性能。
该新的NCP1681高功率TP PFC控制器结合成熟的控制算法和新颖的功能，提供一个高性能和高性价比的TP PFC方案，也可满足具挑战的能效标准，诸如 “80Plus ”或 “CoC Tier 2”等要求在广泛的负载范围内提供高能效的标准。
该新的NCP1681适用于350 W至数千瓦范围的更高功率的电源，工作在通用电源输入(90 - 265 Vac)，广泛适用于包括服务器、高性能计算、电信、工业和OLED电视等应用。在高压输入下，NCP1681 TP PFC方案的能效将达近99%。
NCP1681将与获奖的低功率 (<300W) NCP1680一起在APEC 2022上展示，地点在美国德克萨斯州休斯顿的George R. Brown会展中心。观众可在3月21日至3月23日安森美的展台(1124)看到这些演示。
除了TP PFC控制器外，安森美还提供各种SiC MOSFET和 隔离门极驱动器，可用于图腾柱的快速支路。SiC MOSFET器件具有低导通电阻（RDS(on))和紧凑的芯片尺寸，确保低电容和门极电荷（Qg），在缩小的系统尺寸中提供极高能效，从而实现高功率密度。当NCP1681与NCP51561电隔离门极驱动器一起使用时，可实现稳定可靠的设计而不会牺牲开关性能。
