据中国科技大学消息，该校郭光灿院士团队在硅基半导体自旋量子比特操控研究中取得重要进展，实现了硅基自旋量子比特的超快操控，自旋翻转速率超过540MHz，是目前国际上已报道的最高值。
研究成果于1月11日在线发表在国际知名期刊《自然·通讯》上。
硅基半导体自旋量子比特以长量子退相干时间和高操控保真度、与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展性，成为量子计算研究的核心方向之一。
高操控保真度要求比特在拥有较长的量子退相干时间的同时，具备更快的操控速率。传统方案利用电子自旋共振方式实现自旋比特翻转，比特操控速率较慢。
研究人员发现，利用电偶极自旋共振，可以实现更快速率的自旋比特操控。
电偶极自旋共振的一种方案是通过嵌入器件中的微磁体结构所产生的“人造自旋轨道耦合”来实现，但这会使自旋量子比特感受到更强的电荷噪声，从而降低自旋量子比特的退相干时间，同时降低自旋量子比特阵列的平均操控保真度，阻碍硅基自旋量子比特单元的二维扩展。
另一种有效方案是使用材料中天然存在的自旋轨道耦合，进行自旋量子比特操控。
硅基锗量子点中的空穴载流子处于P轨道态，因而天然具有较强的本征自旋轨道耦合效应，以及较弱的超精细相互作用。
利用电偶极自旋共振技术，仅通过单个交变电场即可实现对空穴自旋量子比特的全电学控制，大大简化了量子比特的制备工艺，有利于实现硅基自旋量子比特单元的二维扩展。
自旋轨道耦合场的方向会影响自旋比特操控速率及比特初始化与读取的保真度，因此，测量并确定自旋轨道耦合场的方向，是实现高保真度自旋量子比特的首要任务。
中科大研究组在2021年首次在硅基锗量子线空穴量子点中实现了朗道g因子张量和自旋轨道耦合场方向的测量与调控。
在此基础上，李海欧等人进一步优化器件性能，在耦合强度高度可调的双量子点中，完成了自旋量子比特的泡利自旋阻塞读取，观测到了多能级的电偶极自旋共振谱。
通过调节和选择共振谱中所展示的不同自旋翻转模式，实现了自旋翻转速率超过540MHz的自旋量子比特超快操控。
研究人员通过建模分析，揭示了超快自旋量子比特操控速率的主要贡献来自于该体系的强自旋轨道耦合效应。
研究结果表明，硅基锗空穴自旋量子比特是实现全电控量子比特操控与扩展的重要候选体系，为实现硅基半导体量子计算奠定了重要研究基础。
图解：(a)硅基锗量子线空穴双量子点和自旋比特操控示意图，(b)自旋比特翻转速率随微波功率增加而增加， (c)微波功率为9dBm时，自旋比特操控速率可达542MHz
