IGCT在部分应用领域中与IGBT相比更具竞争力，可以与IGBT互补使用，未来市场占有率有望不断提高。
集成门极换流晶闸管（IGCT），是功率半导体的一种，可实现高压大容量能量转换，具有耐高压、耐大电流、损耗低、容量密度大、开关速度快、结构简单、安全性高、可靠性高等优点，可以广泛应用在工业设备、新能源发电、轨道交通等领域。
20世纪50年代中后期，晶闸管在美国诞生，70年代后期，门极可关断晶闸管（GTO）成为市场主流，80年代，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）凭借优良性能快速取代GTO，90年代中后期，IGCT概念被提出。IGCT以GTO为基础进行性能改进，驱动电路结构得到简化、开关速度提升、损耗降低，与IGBT相比具有通态压降低、阻断能力强、成本低等优点，在部分应用领域特别是在柔性直流电网中具有巨大市场潜力。
2019年，全球功率半导体市场规模超过400亿美元，其中，中国是全球最大的功率半导体消费国，需求占比达到36％。受工业、汽车、通讯、电子等行业发展拉动，预计到2025年，全球功率半导体市场规模将增长至530亿美元以上。IGCT在部分应用领域中与IGBT相比更具竞争力，可以与IGBT互补使用，未来市场占有率有望不断提高。
根据新思界产业研究中心发布的《2021－2025年集成门极换流晶闸管（IGCT）行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，在全球范围内，IGCT生产商主要是瑞士ABB、德国英飞凌、日本三菱、美国GE等国外企业。在我国，株洲中车时代电气股份有限公司是代表性IGCT企业，是全球第三家具有自主生产IGCT能力的企业，也是我国唯一一家同时掌握晶闸管、IGCT、IGBT及功率组件全套技术的企业，其生产的IGCT已经广泛应用在轨道交通领域。
现阶段，IGCT在通态压降、可靠性、成本等方面仍有进步空间。我国“十四五”国家重点研发计划“储能与智能电网技术”重点专项中提出，针对高比例电力电子装备智能电网发展需求，研究高压大功率集成门极换流晶闸管（IGCT）电源与信号管理驱动芯片设计。这将推动我国IGCT行业技术进一步，为IGCT行业提高核心竞争力奠定基础。
新思界行业分析人士表示，功率半导体属于半导体分立器件，晶闸管是其三大类产品之一。与同属于半导体分立器件的晶体管相比，晶闸管市场份额较小，IGBT等晶体管是主流产品。IGCT作为新型晶闸管产品，性能明显优于前一代晶闸管GTO，在部分应用领域中与IGBT相比更具竞争力。随着下游市场要求不断提高，未来IGCT应用范围、应用需求有望不断扩大。
IGCT智能电网晶闸管储能
