6月17日消息，前日中微半导体设备（上海）股份有限公司首台8英寸甚高频去耦合反应离子（CCP）刻蚀设备Primo AD-RIE 200™顺利付运客户生产线。
（图为中微CCP刻蚀设备研发团队部分主要成员）
据悉Primo AD-RIE 200™是中微公司自主研发的新一代8英寸甚高频去耦合反应离子（CCP）刻蚀设备。基于已被业界广泛认可的12英寸CCP刻蚀设备的成熟工艺与特性，Primo AD-RIE 200™在技术创新和生产效率方面都有了进一步提升，能够满足不同客户8英寸晶圆的加工需求。为了提高生产效率，Primo AD-RIE 200™刻蚀设备可灵活配置多达三个双反应台反应腔（即六个反应台）。此外，Primo AD-RIE 200™提供了可升级至12英寸刻蚀设备系统的灵活解决方案，以满足客户生产线未来可能扩产的需求。
“Primo AD-RIE 200™是中微公司推出的用于8英寸晶圆加工的CCP刻蚀设备，丰富了中微公司现有的刻蚀设备产品线，是中微公司发展历程中又一重要里程碑。中微公司不但聚焦于高端半导体设备领域，同时也提供其他多种设备以满足集成电路和泛半导体领域多样化的市场需求。”中微公司副总裁兼CCP等离子体刻蚀产品部总经理苏兴才博士说道，“我们希望坚持致力于产品创新和技术提升，不断满足客户的多样化需求，助力客户应对行业挑战。”
