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大芯超导有限公司 光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管，光伏逆变器SiC MOSFET，国产IGBT Hybrid Discrete...
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BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5国产替代，AIKW50N65RF5国产替代），BGH50N65ZF1 （IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5国产替代），BGH75N65HF1（IKW75N65RH5，IKW75N65SS5国产替代），BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5国产替代），BGH40N120HF（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7国产替代）特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括：车载充电机（OBC）、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS) ，基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，... [详细介绍]